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电子半导体废水处理案例|电子半导体废水处理方法

西北某LED外延性片种植的企业,因种植流程中安全使用砷化镓、电镀锌铟等III-V族氧化物,废池里含砷(As)、镉(Cd)、铅(Pb)等天价属,设计的概念整理大小1200吨/日。 废水处理方法组成成分及主要来源 MOCVD系统的洗涤废渣 :含前三基镉、前三基铟等巧妙铝合金类化合物 激光切割抛光废水处理 :含纳米级级金属制颗粒状 真空电镀废水处理工艺 :含铜、镍等金属材质铁离子 治理加工步骤 改革创新适用"钝化破络+巨资属收集+膜隔离"组装生产技术: 预加工单位 :添加氢氧化钙分解成有机的五金络合物 主导治理单元测试 : 利用DTCR巨资属收集剂演变成不可溶性螯合物 超滤膜系统化(UF)挤占分子结构感染物 反融于(RO)脱盐率>98% 废水整理标段 :离心法出现脱水后全权负责危险废弃物正确处理重心妥善处理 以后成果 经三方协议书判断: 总砷含量的:0.05mg/L(执行标准0.5mg/L) 镉分量:0.01mg/L(国家行业标准0.1mg/L) 水造纸废水处理率:75% 作业投资成本:3.8元/吨水

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