济南某半导体技术治疗芯片创造厂，晶圆制作步骤中有含硅、氟的特殊性废渣，设计的概念治疗总量1200吨/日。废渣组成繁杂，包含有微米级硅颗粒状及盐酸，常用治疗技术很难及格。 废渣组成成分及来源于 核心造成的污渍 ：电解质溶液硅（100-500nm粒度分布）、氟阴离子（200-300mg/L）、异丙醇 来源地工艺技术 ：晶圆刻蚀生产化工废水（45%）、CMP药剂学厂家磨光生产化工废水（40%）、产品冲洗器水（15%） 工作工序工作流程 全新主要包括"化学物质积淀+特总膜分离处理"能力途径： 钙盐沉定 ：加药氯化钙快速清理氟阳离子（自动生成CaF2悠长岁月中） 斜管沉淀池影响 ：符合斜管沉淀池剂改变氢氧化铁硅脱稳 管式微滤 ：0.1μm管径膜挪作他用微细科粒 反侵入系统软件 ：脱盐率>98%，收旧率75% 蒸馏析出 ：浓水段确保氟化物零减排 决定性疗效 氟化物盐浓度：<8mg/L（不低于欧洲国家三级标10mg/L） 硅份量：<5mg/L 水自然资源回收率：70%采用空气冷却水塔皮肤补水 危废处理以减少：蒸发掉渣子量较传统艺术的工艺以减少60%